Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT, максимальное напряжение 300 В, ток 200 А
- Готово к отправке
- Код: 7000002376
12 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 100 ₴
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Чип 30F131 GT30F131 – это высококачественный биполярный транзистор с изолированным затвором, который предназначен для применения в плазменных панелях. Благодаря своей надежности и высокой мощности, данный транзистор стал выбором многих специалистов в области электроники. Удобный корпус TO-263-2 обеспечивает простоту установки и эксплуатации.
Ключевые возможности
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
- Мощность: 140 Вт
- Идеально подходит для плазменных панелей
Технические характеристики
- Гарантийный срок: 30 дней
- Страна-Производитель: Китай
Чип 30F131 отлично подойдет для использования в различных проектировках, связанных с плазменными устройствами. Например, вы можете его использовать для создания высококачественной плазменной панели, которая будет иметь высокую производительность и долговечность. Также его мощные характеристики позволяют применять этот транзистор в других высоконагруженных электронных схемах.
Покупая транзистор 30F131 в нашем интернет-магазине, вы можете быть уверены в качестве и надежности продукции. Мы предлагаем быструю доставку и гарантию на товар, а также положительные отзывы от наших клиентов подтверждают высокую репутацию нашей компании.
Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
```| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Гарантийный срок | 30 дней |
| Количество в наборе | 1 шт |
| Корпус | TO-263-2 |
| Маркировка | 30F131 / GT30F131 |
| Мощность | 140 Вт |
| Рабочее напряжение | до 300 В (макс. коллектор-эмиттер) |
| Состояние | Новый товар (как в наличии) |
| Страна-Производитель Товара | Китай |
| Тип компонента | Транзистор IGBT |
| Ток | до 200 А (макс. коллектор-эмиттер) |
- Цена: 12 ₴